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标样材料。

      很多无力自主开新材料的课题组，就会买标样材料做一做三元、稳定性之类的边角料工作。

      因此标样材料是不愁卖的，这也是许秋让蓝河光电公司最开始备货的时候，优先做ITIc、IeIco的原因。

      另外，IdIc系列好卖很容易理解，毕竟是现阶段性能最好的材料嘛。

      在其他课题组开出来的材料中，许秋注意到有最新报道的，一种名为coi8dFIc的非富勒烯受体材料还挺有意思的，已经被他列入了重点关注的目标。

      coi8dFIc的分子结构，有些类似于之前徐正宏课题组在nc文章报道的dBc-Ic。

      中央d单元同样是采用非完全共轭稠环的结构，三个TT单元先经由碳碳单键连接，在两个连接处，再分别用一个氧原子和一个碳原子延伸出来，和周边的两个TT单元形成一个非共轭的六元环，六元环上的碳原子上是sp3杂化的，可以引入两个侧链。

      末端a单元，采用的是许秋他们开的IcIn-2F单元。

      这个材料是由国家纳米科学技术中心的李丹课题组开出来的。

      他们连续报道了两个体系，分别是二元的体系，还有三元的体系，器件效率分别为和两篇文章均表在期刊上，也就是之前提到的举国之力推举的一本期刊。

      许秋推测他们把工作表在这里，可能也是有完成上面任务的因素。

      当然，他们也算是吃到了一波红利，后面变为综合类一区了嘛。

      而且，这两篇文章都非常的短，他们表的格式是“shortmunication（短通讯）”。

      本来相较于正常artic1e格式的文章munication就够短的了，一般是三千个单词左右，三到五张图片的样子。

      而现在这个shortmunication更夸张，正文只有两页半，全文就一张图片，整合了分子结构、光吸收光谱、荧光光谱、J-V特性曲线以及eQe曲线。

      不过，实验方面的工作量其实也没少太多，因为其他的表征测试也是做了的，包括光源gIwaxs，电镜Tem、aFm，电荷迁移率scLc，只是被放在了支持信息中，里面有足足2o张图片。

      当然，文章短不短的，对许秋来说也无关紧要。

      他主要关注到三个点，即coi8dFIc体系具有“窄禁带宽度”、“高电流密度”、“对膜厚不敏感”的特点。

      coi8dFIc的禁带宽度只有1.26电子伏特，光吸收带边可以达到1ooo纳米，已经接近硅的禁带宽度了，常温下本征半导体硅的禁带宽度为1.12电子伏特。

      也因此，基于coi8dFIc二元体系的器件，短路电流密度就高达26毫安每平方厘米，三元体系更是达到了28毫安每平方厘米，比许秋现阶段拿到手的y系列受体都夸张。

      当然，高短路电流密度也是有代价的，那就是开路电压偏低，只有o.68伏特。

      不然，给这种电流密度配上一个o.8伏特以上的开路电压，打破现阶段世界纪录的课题组就不是许秋，而是李丹课题组了。

      同时，coi8dFIc还兼顾了IdIc系列的优点，在制备厚膜器件时，器件性能的衰减幅度较小。

      因此

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